[发明专利]具有自对准接触的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710004407.1 | 申请日： | 2007-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN101009267A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 朴源模 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L27/108;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：导电图形，设置在衬底上；第一层间介质层，设置在衬底和导电图形上；第一虚拟图形，设置在第一层间介质层上，并部分地重叠导电图形；第二层间介质层，设置在第一层间介质层和第一虚拟图形上；第二虚拟图形，设置在第二层间介质层上，并部分地重叠导电图形；第三层间介质层，设置在第二层间介质层和第二虚拟图形上；以及接触插塞，穿透第三层间介质层、第二层间介质层和第一层间介质层，以接触导电图形，该接触插塞布置在第一虚拟图形和第二虚拟图形之间，该接触插塞与第一虚拟图形和第二虚拟图形相邻。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 对准 接触 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：导电图形，设置在衬底上；第一层间介质层，设置在衬底和导电图形上；第一虚拟图形，设置在第一层间介质层上，并部分地重叠导电图形；第二层间介质层，设置在第一层间介质层和第一虚拟图形上；第二虚拟图形，设置在第二层间介质层上，并部分地重叠导电图形；第三层间介质层，设置在第二层间介质层和第二虚拟图形上；以及接触插塞，穿透第三层间介质层、第二层间介质层和第一层间介质层，以接触导电图形，该接触插塞布置在第一虚拟图形和第二虚拟图形之间，该接触插塞与第一虚拟图形和第二虚拟图形相邻接。
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