[发明专利]由门阵列结构建立集成电路电容的方法和装置

摘要

本发明公开了一种在集成电路内采用门阵列建立电容结构的方法和装置。实施例包括一种方法，所述方法包括：在集成电路设计中布置由P型场效应晶体管(P－fet)和N型场效应晶体管(N－fet)构成的门阵列；将一个或多个P－fet的漏极和源极以及一个或多个N－fet的栅极耦接至电源地；以及将所述一个或多个P－fet的栅极以及所述一个或多个N－fet的漏极和源极耦接至电源的正电压。在一些实施例中，通过分别将一个或多个P－fet和一个或多个N－fet偏置到正电压和地，使由P－fet和N－fet构成的电容装置的源极到漏极泄漏电流最小化。在其他实施例中，可以采用熔性元件实现所述电容结构，从而在发生短路时隔离所述电容结构。

主权项

1.一种用于在集成电路中提供电容的装置，包括：通过衬底的第三扩散体积互连的第一扩散体积和第二扩散体积，其中所述第一扩散体积和所述第二扩散体积与第一电压供应耦接；以及通过基本不导电的层与所述第三扩散体积耦合的多晶硅材料，其中所述多晶硅材料和所述第三扩散体积与第二电压供应相耦接。