[发明专利]包括高电压产生电路的半导体器件及产生高电压的方法有效
| 申请号： | 200710004441.9 | 申请日： | 2007-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN101154464A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 边大锡;蔡东赫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/30 | 分类号： | G11C16/30;G11C16/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 戎志敏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种半导体存储器件，所述器件包括第一泵时钟产生器，配置用于基于电源电压产生第一泵时钟信号。所述器件还包括第一电荷泵，配置用于响应于第一泵时钟信号产生第一泵输出电压。所述器件还包括第二泵时钟产生器，配置用于基于第一泵输出电压产生第二泵时钟信号。所述器件还包括第二电荷泵，配置用于响应于第二泵时钟信号产生第二泵输出电压。所述器件还包括开关单元，配置用于将第一电荷泵与第二电荷泵选择性地相连。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 电压 产生 电路 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一泵时钟产生器，被配置成基于电源电压产生第一泵时钟信号；第一电荷泵，被配置成响应于第一泵时钟信号产生第一泵输出电压；第二泵时钟产生器，被配置成基于第一泵输出电压产生第二泵时钟信号；第二电荷泵，被配置成响应于第二泵时钟信号产生第二泵输出电压；以及开关单元，被配置成将第一电荷泵与第二电荷泵选择性地相连。
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