[发明专利]再次沉积的非晶硅薄膜

摘要

本发明公开了一种新颖的非晶硅薄膜的形成方法。这个依赖于等离子体增强化学气相沉积过程的方法由两步组成，第一步是将硅材料沉积在平行双电极的负电极表面上；第二步是将基板放置在正电极上，利用直流辉光放电的氢等离子体蚀刻的非对称性将负极表面的硅材料转移到基板上。如此生成的非晶硅具有改善的光电子性能和稳定性，且便于在极大面积基板上形成均匀膜层。

主权项

1. 一个氢化非晶硅薄膜，其特征在于：它通过以下的两步骤获得：a)一个过度性硅薄膜形成过程。它是由等离子体增强化学气相沉积方法，在任意的温度下，使用含有硅成分的气体，包括硅烷，使用任意的等离子体激发方式，在任意的沉积速率下，沉积到两个平行板状电极的表面，包括面对正电极的负电极的表面。而在正电极表面可以置有虚拟基板，且镀膜的均匀性无关紧要；b)一个成品非晶硅薄膜形成过程。它是在所述的过度性硅薄膜形成过程完成之后在同一个真空反应室内进行。首先是将基板在不破坏真空度的状态下放置在正电极面向负电极的一面，该基板的导电表层与正电极电势保持相同，然后向真空反应室中引入氢气，室内气压不小于1.5mbar，并向负电极施加一个不小于400伏的直流负电压，从而在正负电极之间形成直流辉光放电，且电流的密度不小于1mA/cm2，两个电极的间距不小于2厘米，这使得阴极上的过度性硅薄膜被蚀刻剥离，然后扩散并沉积到基板上，基板的温度维持在100-230℃之间。