[发明专利]非晶硼碳合金及其光伏应用无效
申请号: | 200710004983.6 | 申请日: | 2007-02-14 |
公开(公告)号: | CN101246926A | 公开(公告)日: | 2008-08-20 |
发明(设计)人: | 李沅民;马昕 | 申请(专利权)人: | 北京行者多媒体科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/075 | 分类号: | H01L31/075;H01L31/042;H01L31/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100086北京市海淀区中关村南大街*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了氢化非晶硼碳(a-CB)薄膜的制作和应用。非晶硼碳合金可由等离子体增强化学气相沉积法在低温下形成。这个p型半导体薄膜,可被用于基于硅薄膜的单结和多结光伏器件,并改善其性能。 | ||
搜索关键词: | 非晶硼碳 合金 及其 应用 | ||
【主权项】:
1. 一个氢化非晶硼碳合金,它是p型半导体材料,其特征在于:该合金是由硼-碳-氢组成的非晶态的合金薄膜,碳和硼的原子浓度含量分别是60-90%和2-30%,能带隙在1.1-3.3eV之间,所述的氢化非晶硼碳合金的导电率大于2×10-11Scm-1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的