[发明专利]纳米晶硅的等离子体沉积方法

摘要

本发明公开了一种纳米晶硅的等离子体沉积方法。传统方法制作氢化纳米晶硅(nc－Si)薄膜是在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)过程中用氢气高度稀释硅烷。与此不同，本发明中使用惰性气体混合物高度稀释硅烷。惰性气体稀释法增强了薄膜沉积速率，使生长出的薄膜更均匀，消耗气体更少，薄膜的电子性能和微结构更良好，结晶度也更容易控制。这种制作氢化纳米晶硅的方法更适合于生产薄膜硅太阳能电池。

主权项

1. 一种纳米晶硅薄膜，通过PECVD方法而生产，厚度为10-3000nm，平均晶粒大小为5-50nm，其特征在于：该薄膜是一种氢化纳米晶硅薄膜，其沉积过程需要一种主要成分为惰性气体，并包括少量硅烷的源气体混合物，其中惰性气体对硅烷的流量比例范围在5-300之间。