[发明专利]多结薄膜光伏器件的制作

摘要

本发明公开一种多结薄膜光伏器件的制作方法。在基于硅薄膜的由多个p－i－n单元依序叠加形成的多结光伏器件中，一个复合层在至少一对相邻单元的n层和p层之间形成，从而消除n－p分界面的导电屏障并改善多结光伏器件的性能。复合层由含有带隙缩窄元素，如锗、锡、镓的重掺杂的n型和p型硅薄膜合金构成。厚度不大于6纳米的窄带隙复合层可以是非晶态的或是纳米晶态的。

主权项

1. 一个多结光伏器件，由多个基于硅薄膜的光伏单元重叠而成，每个光伏单元由以下部分组成：a.一个p层，由硼掺杂的氢化非晶硅及其合金构成，厚度不超过30纳米；b.一个n层，由磷掺杂的氢化非晶硅及其合金构成，厚度不超过50纳米；c.一个i层，由非掺杂的氢化非晶硅及其合金构成，并被放置在所述p层和所述n层之间；所述的多结光伏器件，其特征在于：所述氢化非晶硅及其合金包括非晶硅及其合金、纳米晶硅及其合金以及混相硅及其合金。所述光伏单元相继串接形成叠式排列，每个后列单元的i层能带隙宽度小于其前列单元的i层能带隙宽度，并且至少任何相邻光伏单元中的一对被一个复合层连接起来。所述复合层是由掺杂的硅合金薄膜组成，其厚度不超过6纳米，能带隙不宽于所述复合层直接接触的相邻光伏单元中的n层和p层的能带隙宽度。