[发明专利]可移式等离子箱单室大批量镀膜的方法无效
申请号: | 200710005090.3 | 申请日: | 2007-02-14 |
公开(公告)号: | CN101245450A | 公开(公告)日: | 2008-08-20 |
发明(设计)人: | 李沅民;马昕 | 申请(专利权)人: | 北京行者多媒体科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/52;H01L21/205;H01L31/0216;H01L31/0264 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100086北京市海淀区中关村南大街*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一个制造大面积薄膜硅光伏器件的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备和方法。采用能承载多个电极和大量基板的可移式等离子箱并使用单一真空室,制造基于薄膜硅p-i-n型光伏器件的方法包括以下步骤:将基板放入等离子箱,然后让等离子箱在一个预热炉中加热,再将等离子箱放入PECVD系统中的单一真空室里,在固定的等离子箱中将硅薄膜沉积在基板上,然后把等离子箱从PECVD真空室移入一个降温室中,最后从等离子箱中取出基板。等离子箱可在下一批基板处理之前被清理。这是一个简单、高产出的生产低成本高效率光伏器件的方法。 | ||
搜索关键词: | 可移式 等离子 箱单室 大批量 镀膜 方法 | ||
【主权项】:
1. 一个可移式等离子箱,用于同时在大量基板上用PECVD过程沉积薄膜材料,其特征在于:它主要由以下部分组成:a)多个等距离平行垂直放置的矩形平坦电极,分别为交替放置的多个接地电极和多个激发电极;b)在每个电极上承载至少一块基板的手段;c)使激发电极与所述可移式等离子箱的其它部分保持电绝缘的手段;d)激发所述多个激发电极的手段,由被屏蔽的电缆和牢固连接在激发电极上的连接器组成;e)将多个接地电极牢靠接地的手段,从而允许在相邻所述接地电极和所述激发电极之间形成等离子体辉光放电;f)当所述激发电极被激发时,向所述可移式等离子箱引入气体混合物并导致在其中形成镀膜的手段;g)一个用于分布所述气体混合物的具有孔穴状底板的喷淋器;h)让所述可移式等离子箱可被打开,在其中放置所述基板或从中取出所述基板的前后门;i)从所述可移式等离子箱排出废气的手段;j)移动手段,使所述可移式等离子箱可从各种设备室中被移进或移出,并可被放置于运输工具之上在生产线各段之间运输。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的