[发明专利]非易失性半导体存储装置以及其制造方法有效
| 申请号： | 200710005108.X | 申请日： | 2007-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101017852A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/51;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;刘宗杰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种能够以低电压且高效率进行写入，并且优越于电荷保持特性的非易失性半导体存储装置以及其制造方法。所述非易失性半导体存储装置包括：具有彼此相离而形成的一对杂质区和设置在该杂质区之间的沟道形成区的半导体膜；设置在沟道形成区的上方的第一绝缘膜、电荷存储层、第二绝缘膜、用作栅极层的导电膜。在非易失性半导体存储装置中，跟由对抗半导体膜的电荷的第一绝缘膜形成的第一势垒相比，由对抗电荷存储层的电荷的第一绝缘膜形成的第二势垒的能量高。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储装置，包括：具有彼此相离而形成的一对杂质区以及设置在所述一对杂质区之间的沟道形成区的半导体膜；在所述沟道形成区的上方设置的第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜的上方设置的电荷存储层；在所述电荷存储层的上方设置的第二绝缘膜；以及在所述第二绝缘膜的上方设置的栅极层，其中，由对抗所述半导体膜的电荷的所述第一绝缘膜形成第一能量势垒，并且，由对抗所述电荷存储层的电荷的所述第一绝缘膜形成第二能量势垒，并且，所述第二能量势垒高于所述第一能量势垒。
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