[发明专利]包括无电容器的存储单元的半导体存储器件无效

专利信息
申请号: 200710005206.3 申请日: 2007-02-07
公开(公告)号: CN101026004A 公开(公告)日: 2007-08-29
发明(设计)人: 金真怜;李永宅 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C11/401 分类号: G11C11/401;G11C11/408;G11C11/4094
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 戎志敏
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种含无电容器的存储单元的半导体存储器件包含:存储单元阵列块,其中包括连接在第一位线与第一字线之间的第一存储单元和连接在第二位线与第二字线之间的第二存储单元;以及基准存储单元阵列块,其中包括连接在与第一位线相连的第一基准位线和第一基准字线之间的第一基准存储单元,以及连接在与第二位线相连的第二基准位线和第二基准字线之间的第二基准存储单元。当选择第一字线时,选择第二基准存储单元,而当选择第二字线时,选择第一基准存储单元。因而,每条位线都包含基准存储单元,并从基准存储单元中输出基准信号,以使数据在读操作期间被精确地读出。
搜索关键词: 包括 电容器 存储 单元 半导体 器件
【主权项】:
1.一种包含无电容器的存储单元的半导体存储器件,该器件包括:存储单元阵列块,被配置用于存储数据,所述存储单元阵列块包括第一存储单元和第二存储单元,每个第一存储单元具有连接在第一位线和一组第一字线之间的浮体,每个第二存储单元具有连接在第二位线和一组第二字线之间的浮体;以及基准存储单元阵列块,被配置用于输出基准信号,所述基准存储单元阵列块包括第一基准存储单元和第二基准存储单元,每个第一基准存储单元具有连接在与第一位线相连的第一基准位线和第一基准字线之间的浮体,每个第二基准存储单元具有连接在与第二位线相连的第二基准位线和第二基准字线之间的浮体;其中,当选择第一字线时,选择第二基准存储单元;当选择第二字线时,选择第一基准存储单元;根据存储在第一基准存储单元和第二基准存储单元中的数据“1”和数据“0”的组合生成基准信号。
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