[发明专利]压力接触构造的功率半导体模块有效
| 申请号： | 200710005264.6 | 申请日： | 2007-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN101064299A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | R·波普;M·莱德勒 | 申请（专利权）人： | 塞米克朗电子有限及两合公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L25/07;H01L23/48 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张兆东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种压力接触构造的功率半导体模块，用于设置在一冷构件上，其中多个负载连接元件分别构成为金属成型体包括至少一个带形部分和许多由带形部分伸出的接触底脚。在这里负载连接元件的各一个带形部分平行于基片表面并与其间隔开设置。此外各接触底脚从带形部分延伸至基片并在那里电路合理地构成负载连接的触点。在各负载连接元件的带形部分与基片之间设置一绝缘材料成型体并且该绝缘材料成型体具有多个孔隙用以通过接触底脚。 | ||
| 搜索关键词： | 压力 接触 构造 功率 半导体 模块 | ||
【主权项】：
1.压力接触构造的功率半导体模块(1)，用于设置在一冷构件(2)上，所述功率半导体模块包括至少一个基片(5)；至少两个在基片上设置的功率半导体元件(60、64)；一壳体(3)；通向外面的多个负载连接元件(40、42、44)；辅助连接元件(80)；以及一压力装置(70)，其中基片(5)具有一绝缘材料体(52)并且在其面向功率半导体模块的内部的第一主表面上设置各包括负载电位的印制导线(54)，其中负载连接元件(40、42、44)分别构成为金属成型体，所述金属成型体包括至少一个带形部分(402、422、442)和许多由带形部分伸出的接触底脚(400、420、440)，负载连接元件的各一个带形部分(402、422、442)平行于基片表面并与其间隔开设置并且接触底脚(400、420、440)从带形部分(402、422、442)延伸至基片(5)并在那里电路合理地构成负载连接的触点，并且在负载连接元件(40、42、44)的带形部分(402、422、442)与基片(5)之间设置一绝缘材料成型体(30)，并且该绝缘材料成型体具有多个孔隙(32)用以通过接触底脚(400、420、440)。
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