[发明专利]被校正的光掩模对准误差及校正光掩模的对准误差的方法无效
| 申请号： | 200710005269.9 | 申请日： | 2007-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN101122737A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 李明秀;裴硕钟;李贞勋;崔成云;金炳局 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F7/09;G03F9/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种其对准误差已经被校正的光掩模，以及校正光掩模的对准误差的方法。光掩模包括光掩模衬底、在光掩模衬底的一个表面上形成的光学图形、以及在光掩模衬底中形成的多个应力产生部分。校正光掩模的对准误差的方法包括以下步骤：在光掩模衬底上形成光学图形、测量光学图形的对准误差、以及在光掩模衬底中形成多个应力产生部分，使得应力产生部分对应于所测量的对准误差。 | ||
| 搜索关键词： | 校正 光掩模 对准 误差 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光掩模，包括：光掩模衬底；在光掩模衬底的一个表面上形成的光学图形；以及在光掩模衬底中形成的多个应力产生部分。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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