[发明专利]一种单一内嵌多晶硅存储结构及其操作方法

摘要

本发明公开一种单一内嵌多晶硅存储结构，其包括存取晶体管以及形成于硅衬底上的存储元件。此存取晶体管包括植入于硅衬底中的源极与漏极扩散区域、以及形成于硅衬底上并介于源极与漏极扩散区域之间的多晶硅控制栅极。此存储结构包括植入于硅衬底中的源极与漏极扩散区域、以及形成于此硅衬底上并介于源极与漏极扩散区域间的多晶硅浮动栅极；然而，此源极扩散区域包括双扩散结构。

主权项

1.一种单一多晶硅存储器件，包括：衬底；控制栅极输入；一组位线输入；选择输入；形成于该衬底上的存取元件，其包括连接至该控制栅极输入的控制栅极、形成于该衬底中的共用扩散区域、以及形成于该衬底中并连接至该选择输入的扩散区域；以及形成于该衬底上的存储元件，该存储元件包括浮动栅极、该共用扩散区域，以及双扩散结构。