[发明专利]半导体芯片制造方法有效
申请号: | 200710005311.7 | 申请日: | 2007-02-14 |
公开(公告)号: | CN101026126A | 公开(公告)日: | 2007-08-29 |
发明(设计)人: | 吉川敏行 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪斯科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 陈英俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的半导体芯片制造方法,由半导体晶片来制造多个半导体芯片,包括:沟槽形成工序,在半导体晶片的表面沿着切割道来形成规定深度的沟槽;保护膜粘贴工序,在半导体晶片的形成了该沟槽的表面粘贴保护膜;分割工序,对半导体晶片的背面进行研磨,使半导体晶片的厚度为上述沟槽的深度以下,将矩形区域分割成单个;贴片膜、保持膜粘贴工序,在半导体晶片的被研磨的背面依次粘贴贴片膜及保持膜;保护膜剥离工序,从半导体晶片的表面剥离保护膜;间隔增大工序,使该保持膜延伸来增大被分割成单个的矩形区域之间的间隔;及贴片膜切断工序,从半导体晶片的表面侧通过矩形区域之间的间隙向贴片膜照射激光光束,沿着矩形区域之间的间隙来切断贴片膜。 | ||
搜索关键词: | 半导体 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种半导体芯片制造方法,由半导体晶片制造多个半导体芯片,上述半导体晶片在表面通过排列成格子状的切割道划分了多个矩形区域并在各矩形区域设有半导体电路,上述半导体芯片在表面设有半导体电路并在背面粘贴有贴片膜,其特征在于,该制造方法包括:沟槽形成工序,沿着该切割道来切削该半导体晶片的表面,沿着该切割道形成规定深度的沟槽;保护膜粘贴工序,在该沟槽形成工序之后,在该半导体晶片的形成了该沟槽的表面粘贴保护膜;分割工序,在该保护膜粘贴工序之后,对该半导体晶片的背面进行研磨,使该半导体晶片的厚度为该沟槽的深度以下,从而将该矩形区域分割成单个;贴片膜、保持膜粘贴工序,在该分割工序之后,在该半导体晶片的被研磨的背面按贴片膜及保持膜的顺序粘贴贴片膜及保持膜;这时作为该保持膜使用比该半导体晶片大的保持膜而被粘贴的该保持膜,越过该半导体晶片的周缘而伸出;保护膜剥离工序,在该贴片膜、保持膜粘贴工序之后,从该半导体晶片的表面剥离该保护膜;间隔增大工序,在该保护膜剥离工序之后,使该保持膜延伸而增大被分割成单个的该矩形区域之间的间隔;贴片膜切断工序,在该间隔增大工序之后,从该半导体晶片的表面侧通过该矩形区域之间的间隙向该贴片膜照射激光光束,沿着该矩形区域之间的间隙来切断该贴片膜;以及拾取工序,在该贴片膜切断工序之后,从该保持膜上拾取在表面形成有该半导体电路、在背面粘贴有该贴片膜的各个该矩形区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪斯科,未经株式会社迪斯科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710005311.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:对象过程图应用程序控制器-查看器
- 下一篇:等离子体显示装置及其驱动方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造