[发明专利]半导体芯片制造方法有效

专利信息
申请号: 200710005311.7 申请日: 2007-02-14
公开(公告)号: CN101026126A 公开(公告)日: 2007-08-29
发明(设计)人: 吉川敏行 申请(专利权)人: 株式会社迪斯科
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 陈英俊
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的半导体芯片制造方法,由半导体晶片来制造多个半导体芯片,包括:沟槽形成工序,在半导体晶片的表面沿着切割道来形成规定深度的沟槽;保护膜粘贴工序,在半导体晶片的形成了该沟槽的表面粘贴保护膜;分割工序,对半导体晶片的背面进行研磨,使半导体晶片的厚度为上述沟槽的深度以下,将矩形区域分割成单个;贴片膜、保持膜粘贴工序,在半导体晶片的被研磨的背面依次粘贴贴片膜及保持膜;保护膜剥离工序,从半导体晶片的表面剥离保护膜;间隔增大工序,使该保持膜延伸来增大被分割成单个的矩形区域之间的间隔;及贴片膜切断工序,从半导体晶片的表面侧通过矩形区域之间的间隙向贴片膜照射激光光束,沿着矩形区域之间的间隙来切断贴片膜。
搜索关键词: 半导体 芯片 制造 方法
【主权项】:
1、一种半导体芯片制造方法,由半导体晶片制造多个半导体芯片,上述半导体晶片在表面通过排列成格子状的切割道划分了多个矩形区域并在各矩形区域设有半导体电路,上述半导体芯片在表面设有半导体电路并在背面粘贴有贴片膜,其特征在于,该制造方法包括:沟槽形成工序,沿着该切割道来切削该半导体晶片的表面,沿着该切割道形成规定深度的沟槽;保护膜粘贴工序,在该沟槽形成工序之后,在该半导体晶片的形成了该沟槽的表面粘贴保护膜;分割工序,在该保护膜粘贴工序之后,对该半导体晶片的背面进行研磨,使该半导体晶片的厚度为该沟槽的深度以下,从而将该矩形区域分割成单个;贴片膜、保持膜粘贴工序,在该分割工序之后,在该半导体晶片的被研磨的背面按贴片膜及保持膜的顺序粘贴贴片膜及保持膜;这时作为该保持膜使用比该半导体晶片大的保持膜而被粘贴的该保持膜,越过该半导体晶片的周缘而伸出;保护膜剥离工序,在该贴片膜、保持膜粘贴工序之后,从该半导体晶片的表面剥离该保护膜;间隔增大工序,在该保护膜剥离工序之后,使该保持膜延伸而增大被分割成单个的该矩形区域之间的间隔;贴片膜切断工序,在该间隔增大工序之后,从该半导体晶片的表面侧通过该矩形区域之间的间隙向该贴片膜照射激光光束,沿着该矩形区域之间的间隙来切断该贴片膜;以及拾取工序,在该贴片膜切断工序之后,从该保持膜上拾取在表面形成有该半导体电路、在背面粘贴有该贴片膜的各个该矩形区域。
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