[发明专利]GaN晶体衬底及其制造方法以及制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200710005341.8 | 申请日： | 2007-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN101037807A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 田中仁子 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;H01L33/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 日本大阪府大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在GaN晶体衬底(10)中，与所述晶体生长表面(10c)相对的后表面(10r)可以具有满足－50μm≤w(R)≤50μm的翘曲w(R)，满足Ra(R)≤10μm的表面粗糙度Ra(R)以及满足Ry(R)≤75μm的表面粗糙度Ry(R)。此外，一种制造半导体器件(99)的方法包括，制备GaN晶体衬底(10)作为衬底，以及在GaN晶体衬底(10)的晶体生长表面(10c)的侧面上生长至少一个III族氮化物晶体层(20)。由此，提供一种GaN晶体衬底，具有减小翘曲的后表面和允许在其晶体生长表面上形成具有良好结晶性的半导体层，提供一种制造该GaN晶体衬底的方法以及制造半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | gan 晶体 衬底 及其 制造 方法 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种GaN晶体衬底，包括：晶体生长表面(10c)；以及与所述晶体生长表面(10c)相对的后表面(10r)，所述后表面(10r)具有满足-50μm≤w(R)≤50μm的翘曲w(R)。
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