[发明专利]磁性存储单元的直接写入方法与磁性存储单元结构

摘要

本发明公开了一种磁性存储单元的直接写入方法。该磁性存储单元包括磁性自由叠层，有下铁磁层以及上铁磁层。下铁磁层与上铁磁层都有实质上相同方向的双方向易轴。本方法包括施加第一磁场在该双方向易轴的方向上，以及进行写入操作。当要写入第一储存状态时，施加第二磁场取代第一磁场。第二磁场的方向在双方向易轴的第一边，且夹有第一角度。当写入操作要写入第二储存状态时施加第三磁场取代该第一磁场。第三磁场的方向在双方向易轴的第二边，且夹有第二角度。又，例如该下铁磁层以及上铁磁层的至少其一具有单方向易轴，与双方向易轴有夹角。

主权项

1. 一种磁性存储单元的直接写入方法，该磁性存储单元包括磁性自由叠层，且该磁性自由叠层是由下铁磁层、非磁性耦合中间层、以及上铁磁层叠合所成，该下铁磁层与该上铁磁层分别有实质上相同方向的双方向易轴，该方法包括：施加第一磁场在该双方向易轴的方向上；以及进行写入操作，以写入第一储存态或是第二储存态到该磁性存储单元，其中当该写入操作要写入该第一储存状态时进行：施加第二磁场取代该第一磁场，其中该第二磁场在该双方向易轴的第一边，且夹有第一角度；以及停止该第二磁场，其中当该写入操作要写入该第二储存状态时进行：施加第三磁场取代该第一磁场，其中该第三磁场在该双方向易轴的第二边，且夹有第二角度，其中该第一边与该第二边是相对的；以及停止该第三磁场。