[发明专利]电子部件、介电体陶瓷组合物及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710005386.5 申请日: 2007-02-14
公开(公告)号: CN101024572A 公开(公告)日: 2007-08-29
发明(设计)人: 细野雅和;井口俊宏;樱井弹;佐藤淳;小岛畅;小岛隆 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: C04B35/468 分类号: C04B35/468;H01G4/12;C04B35/622
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 孙秀武;李平英
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供介电体陶瓷组合物,其含有含BaTiO3的主成分、至少含R1的氧化物(R1为选自Y、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至少一种)的第4副成分和含R2的氧化物(R2为选自Dy、Tb、Gd和Eu的至少一种)的第5副成分,所述介电体陶瓷组合物的特征在于,按R1和R2换算,相对于100摩尔主成分,R1和R2的总摩尔数为2~6摩尔,且按R1和R2换算,第5副成分相对于R1和R2的总摩尔数的比例为0.5≤R2/(R1+R2)≤0.75的关系,其中,所述R1和R2的总摩尔数是相对于100摩尔主成分的摩尔数。通过本发明,可以提供一种具有充分可靠性的介电体陶瓷组合物,即使将电子部件的介电体层制成薄层,也可兼备高温负荷寿命和容量温度特性。
搜索关键词: 电子 部件 介电体 陶瓷 组合 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种介电体陶瓷组合物,其含有钛酸钡作为主成分,并且含有含MgO的第1副成分、含SiO2类烧结助剂的第2副成分、含选自V2O5、MoO3和WO3的至少一种的第3副成分、含R1的氧化物(R1为选自Y、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至少一种)的第4副成分、含R2的氧化物(R2为选自Dy、Tb、Gd和Eu的至少一种)的第5副成分、含MnO和Cr2O3的至少之一的第6副成分,所述介电体陶瓷组合物的特征在于,各副成分相对100摩尔所述主成分的比例如下:第1副成分:0.8~2摩尔、第2副成分:1.5~5摩尔、第3副成分:0.01~0.1摩尔、第4副成分:0.5~2摩尔(第4副成分的摩尔数是单以R1计算的比例)、第5副成分:1.5~4.5摩尔(第5副成分的摩尔数是单以R2计算的比例)、第6副成分:0.1~0.2摩尔,相对于100摩尔所述主成分,按所述R1和所述R2换算,第4副成分和第5副成分的总摩尔数为2~6摩尔,并且按所述R1和所述R2换算,第5副成分相对于第4副成分和第5副成分的总摩尔数的比例为0.5≤R2/(R1+R2)≤0.75的关系,其中,所述第4副成分和第5副成分的总摩尔数是相对于100摩尔主成分的摩尔数。
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