[发明专利]抗蚀图增厚材料、抗蚀图及其形成工艺以及半导体器件及其制造工艺有效
| 申请号： | 200710005436.X | 申请日： | 2002-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101034256A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 小泽美和;野崎耕司;並木崇久;今纯一;矢野映 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;H01L21/027;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 抗蚀图增厚材料含有树脂、交联剂和具有环状结构的化合物或部分具有环状结构的树脂。抗蚀图包括在要增厚的抗蚀图上的表面层，在相同条件下，要增厚的抗蚀图与表面层的腐蚀率(nm/s)之比(要增厚的抗蚀图/表面层)为1.1或更大，或包括在要增厚的抗蚀图上的表面层。形成抗蚀图的工艺包括在形成要增厚的抗蚀图之后在表面涂覆抗蚀图增厚材料。半导体器件包括由抗蚀图形成的图形。半导体器件的制造工艺包括在底层上形成要增厚的抗蚀图之后，在图形的表面涂覆增厚材料来增厚，并通过采用图形作为掩模进行腐蚀以构图底层。 | ||
| 搜索关键词： | 抗蚀图增厚 材料 抗蚀图 及其 形成 工艺 以及 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种抗蚀图增厚材料，包含：树脂；交联剂；具有环状结构的化合物，该具有环状结构的化合物从芳香族化合物、脂环化合物和杂环化合物中选择；以及纯水。
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