[发明专利]非易失性半导体存储设备以及向其写入数据的方法无效
| 申请号： | 200710005471.1 | 申请日： | 2007-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN101017706A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 菅原宽 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/10 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在非易失性半导体存储设备中，存储单元阵列具有以矩阵形式布置的多个非易失性存储单元。选择部件从存储单元阵列中选择多个非易失性存储单元中的至少两个，作为选择存储单元。写入部件将逐步增加的栅极电压施加到选择存储单元，直至每个选择存储单元的阈值电压达到目标阈值电压，使得阈值电压逐步增加。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 设备 以及 写入 数据 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储设备，包括：存储单元阵列，其被配置为具有以矩阵形式布置的多个非易失性存储单元；选择部件，其被配置为从所述存储单元阵列中选择所述多个非易失性存储单元中的至少两个，作为选择存储单元；以及写入部件，其被配置为将逐步增加的栅极电压施加到所述选择存储单元，直到所述选择存储单元中的每一个的阈值电压达到目标阈值电压，使得所述阈值电压逐步增加。
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