[发明专利]充电控制用半导体集成电路及二次电池充电装置无效
| 申请号： | 200710005489.1 | 申请日： | 2007-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN101026308A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 茨木彻 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | H02J7/00 | 分类号： | H02J7/00;H02J7/02;H02J7/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 杨梧;王景刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供可使用多个对二次电池进行充电用的晶体管，也可将不同额定功率的晶体管组合的充电控制用半导体集成电路及二次电池充电装置。在二次电池(6)的电池电压(Vb)小，电池电压检测电路(13)的输出信号(Vb1)比第2基准电压(Vref2)小的场合，用功率晶体管(Q1)，(Q2)的各集电极电流(i1)，(i2)对二次电池(6)进行恒电流充电，当来自电池电压检测电路(13)的信号(Vb1)的电压达到第2基准电压(Vref2)之上，运算放大电路(16、18)的各输出信号(CC1)及(CC2)分别形成高电平，NMOS晶体管(M11)及(M13)同时导通，恒电流充电终止，由功率晶体管(Q1)，(Q2)的各集电极电流(i1)，(i2)进行恒电压充电。 | ||
| 搜索关键词： | 充电 控制 半导体 集成电路 二次 电池 装置 | ||
【主权项】：
1.一种充电控制用半导体集成电路，在充电装置中，分别从第1充电用晶体管和第2充电用晶体管，通过对应的第1充电电流检测用电阻以及第2充电电流检测用电阻，向二次电池提供充电电流，对该二次电池进行恒电流充电或恒电压充电，所述半导体集成电路对所述各充电用晶体管的动作进行控制，其特征在于：与上述第1充电用晶体管以及第2充电用晶体管相对应，分别设有向所述第1充电用晶体管以及第2充电用晶体管输出控制信号的端子，根据所述第1充电电流检测用电阻以及第2充电电流检测用电阻的各两端电压和所述二次电池的电压，分别个别控制所述第1充电用晶体管以及所述第2充电用晶体管。
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