[发明专利]显示装置的制造方法有效
申请号: | 200710005589.4 | 申请日: | 2007-02-13 |
公开(公告)号: | CN101022092A | 公开(公告)日: | 2007-08-22 |
发明(设计)人: | 高畠胜;金子寿辉;田边英夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立显示器 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/768;H01L21/3213;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 季向冈 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种显示装置的制造方法,在具有反射区域和透射区域的液晶显示装置中,抑制工序数增加地制造反射电极和透射电极。对具有透射区域和反射区域的像素,连续层叠形成反射电极的金属膜和形成透射电极的透明导电膜。将抗蚀剂膜曝光显影,形成第1图案,同时蚀刻金属层和透明导电膜。然后通过灰化在抗蚀剂膜形成第2图案,蚀刻金属层。另外,利用有机树脂层作为形成接触孔的掩模。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种具有被配置成矩阵状的像素的显示装置的制造方法,包括:在基板上形成源极电极的步骤;在上述源极电极之上层叠第1绝缘膜和第2绝缘膜的步骤;在上述第1绝缘膜和第2绝缘膜中形成接触孔的步骤;在上述第1绝缘膜和第2绝缘膜之上层叠第1导电膜和第2导电膜,并通过上述接触孔连接上述源极电极和上述第1导电膜的步骤;使用抗蚀剂膜的第1图案蚀刻第1导电膜和第2导电膜的步骤;除去上述抗蚀剂膜的一部分,形成第2图案的步骤;以及使用上述第2图案蚀刻上述第2导电膜的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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