[发明专利]具有球形凹陷栅极的半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200710005661.3 | 申请日： | 2007-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN101047119A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 赵俊熙 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/306;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，包括：蚀刻部份衬底以形成凹陷；将聚合物层填入所述凹陷的下部；在所述凹陷下部上方的凹陷上形成侧壁间隔物；移除所述聚合物层；和各向同性蚀刻所述凹陷下部以形成球形凹陷。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 球形 凹陷 栅极 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：蚀刻部分衬底以形成凹陷；形成填充所述凹陷的下部的聚合物层；在第一凹陷的下部上方的凹陷侧壁上形成侧壁间隔物；移除所述聚合物层；和各向同性蚀刻所述凹陷的下部以形成球形第二凹陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
