[发明专利]分离栅极快闪存储装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200710005731.5 | 申请日： | 2007-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101123269A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 刘世昌;罗际兴;蔡嘉雄;何企伟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/788;H01L27/115;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种分离栅极快闪存储装置，包括：一浮置栅极，形成于一基底上，其中该浮置栅极的一侧壁包括一侧向凹陷；一组合介电层，形成于该基底、该侧壁以及该浮置栅极的该侧向凹陷上；一控制栅极，形成于该组合介电层上，且覆盖至少部分的该浮置栅极；以及一介电层间隙壁，形成于该侧向凹陷中，且位于该组合介电层与该控制栅极之间。根据本发明，浮置栅极的独特轮廓可同时获得低FTV及高RTV，进而可改善分离栅极快闪存储装置的程序化及擦除的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 分离 栅极 闪存 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种分离栅极快闪存储装置，包括：一浮置栅极，形成于一基底上，其中该浮置栅极的一侧壁包括一侧向凹陷；一组合介电层，形成于该基底、该侧壁以及该浮置栅极的该侧向凹陷上；一控制栅极，形成于该组合介电层上，且覆盖至少部分的该浮置栅极；以及一介电层间隙壁，形成于该侧向凹陷中，且位于该组合介电层与该控制栅极之间。
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