[发明专利]淀积设备以及用于淀积膜的方法无效
申请号: | 200710005795.5 | 申请日: | 2007-02-13 |
公开(公告)号: | CN101021005A | 公开(公告)日: | 2007-08-22 |
发明(设计)人: | 古谷晃 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/52 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙志湧;陆锦华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 当用多种气体淀积膜时,表现出增强的气体利用效率并表现出改善的淀积特性。淀积设备(100)包括:反应室(102),用于淀积膜;第一气体提供线路(112)和第二气体提供线路(152),分别用于将第一源材料(A)和气体(B)提供到反应室(102);和激励单元(106),其能够激励反应室(102)中所提供的气体,以形成等离子体。在具有这种构造的淀积设备(100)中,通过以下操作进行淀积操作:第一操作,用于将由第一源材料(A)获得的气体和气体(B)提供到反应室(102)中,以促使在衬底上吸收由第一源材料A得到的气体,从而形成淀积层;和第二操作,用于将第二气体提供到反应室(102)中,并利用处于被等离子体激励的条件下的气体处理淀积层。 | ||
搜索关键词: | 设备 以及 用于 淀积膜 方法 | ||
【主权项】:
1.一种淀积设备,包括用于淀积的反应室;气体提供系统,用于将第一气体和第二气体提供到所述反应室中;切换单元,用于在第一步骤中的提供所述第一气体到所述反应室中和在第二步骤中的停止提供所述第一气体到所述反应室中之间切换,其中,在第一步骤中,将所述第一气体和所述第二气体提供到所述反应室中,在所述第二步骤中,将所述第二气体选择性提供到所述反应室中;激励单元,用于对提供到所述反应室中的气体进行激励,以产生等离子体;以及控制单元,能够控制所述激励单元,使得在所述第一步骤期间所述激励单元不执行将气体激励成等离子体,以及在所述第二步骤期间所述激励单元执行将气体激励成等离子体,其中,在所述第一步骤中,在衬底上吸收所述第一气体,以形成淀积层,在所述第二步骤中,被激励成等离子体的所述第二气体处理所述淀积层。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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