[发明专利]淀积设备以及用于淀积膜的方法无效

专利信息
申请号: 200710005795.5 申请日: 2007-02-13
公开(公告)号: CN101021005A 公开(公告)日: 2007-08-22
发明(设计)人: 古谷晃 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: C23C16/513 分类号: C23C16/513;C23C16/52
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 孙志湧;陆锦华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 当用多种气体淀积膜时,表现出增强的气体利用效率并表现出改善的淀积特性。淀积设备(100)包括:反应室(102),用于淀积膜;第一气体提供线路(112)和第二气体提供线路(152),分别用于将第一源材料(A)和气体(B)提供到反应室(102);和激励单元(106),其能够激励反应室(102)中所提供的气体,以形成等离子体。在具有这种构造的淀积设备(100)中,通过以下操作进行淀积操作:第一操作,用于将由第一源材料(A)获得的气体和气体(B)提供到反应室(102)中,以促使在衬底上吸收由第一源材料A得到的气体,从而形成淀积层;和第二操作,用于将第二气体提供到反应室(102)中,并利用处于被等离子体激励的条件下的气体处理淀积层。
搜索关键词: 设备 以及 用于 淀积膜 方法
【主权项】:
1.一种淀积设备,包括用于淀积的反应室;气体提供系统,用于将第一气体和第二气体提供到所述反应室中;切换单元,用于在第一步骤中的提供所述第一气体到所述反应室中和在第二步骤中的停止提供所述第一气体到所述反应室中之间切换,其中,在第一步骤中,将所述第一气体和所述第二气体提供到所述反应室中,在所述第二步骤中,将所述第二气体选择性提供到所述反应室中;激励单元,用于对提供到所述反应室中的气体进行激励,以产生等离子体;以及控制单元,能够控制所述激励单元,使得在所述第一步骤期间所述激励单元不执行将气体激励成等离子体,以及在所述第二步骤期间所述激励单元执行将气体激励成等离子体,其中,在所述第一步骤中,在衬底上吸收所述第一气体,以形成淀积层,在所述第二步骤中,被激励成等离子体的所述第二气体处理所述淀积层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司,未经恩益禧电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710005795.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top