[发明专利]半导体存储器件中的突发读取电路及其突发数据读取方法无效
| 申请号： | 200710005935.9 | 申请日： | 2007-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN101022038A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | 赵志虎 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临;王志森 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种半导体存储器件，其实施消除在系统上的中断负荷的突发读取操作。所述存储器件包括：存储单元阵列、读出放大器、锁存电路以及突发模式控制单元。所述读出放大器被配置成依次读出并放大存储在所述存储单元阵列中的数据。所述锁存电路被配置成响应于转储信号而锁存所述读出放大器组的读出的数据并输出该读出的数据。所述突发模式控制单元被配置成从突发起始地址检测包含在所述读出的数据中的无效数据的长度，并根据该检测结果来控制生成转储信号的时间点，从而仅仅依次输出所述读出的数据中的有效数据。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 中的 突发 读取 电路 及其 数据 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：存储单元阵列；读出放大器，被配置用于依次读出并放大存储在所述存储单元阵列中的数据；锁存电路，被配置用于响应于转储信号而锁存所述读出放大器的读出的数据并输出所述读出的数据；以及突发模式控制单元，被配置用于检测所述读出的数据中的无效数据的长度，所述控制单元根据所述无效数据的长度来控制所述转储信号的生成，以从该读出的数据中仅仅依次输出有效数据。
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