[发明专利]成像传感器及其形成方法有效
| 申请号： | 200710005946.7 | 申请日： | 2007-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN101034711A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 马克·D·贾菲;杰弗里·P·甘比诺;理查德·J·拉塞尔;阿兰·洛伊休;詹姆斯·W·阿基森 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有FET像素阵列的成像传感器以及形成该成像传感器的方法。每个像素是半导体岛，例如在绝缘体上硅(SOI)晶片上的N型硅。在一个光电二极管电极例如P阱阴极中形成FET。可以将滤色器附着到岛的相对表面。将保护层(例如玻璃或石英)或者窗口固定到滤色器处的像素阵列。成像传感器可以从背侧被照射，而单元布线在单元之上。因此，穿过保护层的光信号被滤色器过滤并被相应的光学传感器选择性地感测。 | ||
| 搜索关键词： | 成像 传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种成像传感器单元，包括：半导体层；在所述半导体层的一个表面上的光学传感器；以及在所述半导体层的相对表面处的滤色器，所述滤色器过滤的光被所述光学传感器选择性地感测。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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