[发明专利]具有电池的半导体器件无效
| 申请号： | 200710005972.X | 申请日： | 2007-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN101026147A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 朱耿嬉;吕寅硕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/488;H01M6/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 引入大容量微电池的伪非易失性存储器件的实施例，包括具有键合焊盘的DRAM。该DRAM芯片可以被连接到框架。该框架可以具有对应于每个键合焊盘的外部连接端子。用于将该键合焊盘电连接到外部连接端子的布线。键合焊盘和布线可以用密封剂覆盖。在DRAM芯片之上可以设置微电池。该微电池可以提供电源到DRAM芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电池 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种伪非易失性存储器件，包括：具有键合焊盘的DRAM芯片；具有对应于该键合焊盘的外部连接端子的框架，该框架被连接到DRAM芯片；用于将外部连接端子分别电连接到该键合焊盘的布线；以及用于提供电源给DRAM芯片的微电池，该微电池位于DRAM芯片之上。
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