[发明专利]在集成电路中使用的电极结构无效
| 申请号： | 200710006160.7 | 申请日： | 2002-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101005056A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | J·T·穆尔;J·F·布洛克斯 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/532;H01L27/115;H01L21/28;H01L21/768;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;王忠忠 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种电极结构(200A)，包括导电材料的第一层(202)和在第一层的表面上形成的电介质层(204)。在电介质层中形成开口(206)，以便暴露第一层表面的一部分。在电介质层上并在第一层表面的暴露部分上形成接合层(210)，并在导电接合层上形成导电材料的第二层(212)。接合层可以是氧化物，并且第二层是可扩散进入氧化物的导电材料。退火电极结构，以便使导电材料从第二层被化学吸附进入接合层，以改善第一层和第二层之间的粘接性。通过在电极结构中形成掺杂的玻璃层(214)来形成可编程单元。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 使用 电极 结构 | ||
【主权项】：
1.一种存储器单元，包括：导电材料的第一层；在第一层表面上形成的电介质层；在电介质层中形成的开口，以便暴露第一层表面的一部分；在电介质层上并在第一层表面的暴露部分上形成的接合层；在接合层上形成的导电材料的第二层；在导电材料的第二层上形成的硫族元素化物材料层；以及在硫族元素化物材料层上形成的导电材料的第三层。
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