[发明专利]半导体存储器件及其数据读写方法有效
| 申请号： | 200710006303.4 | 申请日： | 2007-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN101022033A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | 李永宅 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C11/4063;G11C11/4091;G11C11/4093 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 戎志敏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种半导体存储器件，具有：第一存储单元阵列块，所述第一存储单元阵列块包括具有浮置体的存储单元，所述存储单元与字线、第一位线和第一源极线相连；第二存储单元阵列块，包括具有浮置体的基准存储单元，所述基准存储单元与基准字线、第二位线和第二源极线相连；第一隔离门部分，被配置成在第一位线与读出位线和反转读出位线的至少一个之间选择性地传输信号；第二隔离门部分，被配置成在第二位线与读出位线和反转读出位线的至少一个之间选择性地传输信号；以及读出放大器，被配置成将读出位线和反转读出位线的电压放大到第一和第二读出放大电压电平。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 数据 读写 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：第一存储单元阵列块，包括具有浮置体的存储单元，所述存储单元与字线、第一位线和第一源极线相连；第二存储单元阵列块，包括具有浮置体的基准存储单元，所述基准存储单元与基准字线、第二位线和第二源极线相连；第一隔离门部分，被配置成在第一位线与读出位线和反转读出位线的至少一个之间选择性地传输信号；第二隔离门部分，被配置成在第二位线与读出位线和反转读出位线的至少一个之间选择性地传输信号；以及读出放大器，被配置成将读出位线和反转读出位线的电压放大到第一和第二读出放大电压电平。
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