[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710006318.0 | 申请日： | 2007-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN101026129A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 刘焕培;申贤哲 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 在形成非易失性存储器件的方法中，以及在根据该方法形成的器件中，当从其中形成公共源极线的衬底的区域除去器件隔离区时，同时地除去在构图构成存储单元的层叠结构中使用的硬掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成非易失性存储器件的方法，该方法包括：在衬底上顺序地形成存储层、控制栅和第一掩模，该衬底具有填充有器件隔离区的沟槽；除去在控制栅的第一侧的部分器件隔离区，并除去控制栅上的第一掩模，使得露出控制栅的顶表面；在控制栅的第一侧的衬底以及通过除去部分器件隔离区所露出的沟槽中，形成公共源极线；以及在控制栅的第二侧的衬底中形成漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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