[发明专利]半导体膜晶化方法、半导体器件制造方法及激光照射装置

摘要

由第一激光束和第二激光束照射衬底上形成的半导体膜，其中第一激光束以一角度入射到该衬底底表面上，而第二激光束以与第一激光束的角度相反的角度入射到该衬底底表面上，并且第二激光束是由与振荡第一激光束的振荡器不同的振荡器振荡的；从而，半导体膜的一部分融化，并且半导体上融化的部分在第一激光束和第二激光束照射的位置移动的同时移动，并且基本上沿着相对于第一激光束或第二激光束倾斜的方向扫描。

主权项

1.一种用于晶化半导体膜的方法，包括以下步骤：由第一振荡器振荡第一激光束；由第二振荡器振荡第二激光束；处理第一激光束和第二激光束以具有线性横截面；同时用第一激光束和第二激光束照射该半导体膜；沿着基本上垂直于第一激光束的纵轴的方向移动该半导体膜上被照射的部分，其中第一激光束相对于一个平面以第一角度入射到该半导体膜上，该平面包括第一激光束的纵轴并垂直于该半导体膜，并且其中第二激光束相对于该平面以第二角度入射到该半导体膜上，其中第二角度与第一激光束的所述角度相反。