[发明专利]阵列基板的制作方法有效

专利信息
申请号: 200710006350.9 申请日: 2007-01-31
公开(公告)号: CN101013240A 公开(公告)日: 2007-08-08
发明(设计)人: 董畯豪;吴姿湄 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;H01L21/027;G03F7/20
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 郭蔚
地址: 台湾省新竹科学*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种平面显示器用基板的制作方法,主要利用四道光刻蚀刻制造工艺以制作薄膜晶体管液晶显示器用的基板。通过半调掩模的使用,本发明方法可于第三道光刻蚀刻制造工艺中完成薄膜晶体管的制作,并且定义出基板的像素区,因此本发明可避免传统五道掩模所产生的对位偏差与寄生电容等问题,不仅可节省成本亦能提升产能。再者,于本发明薄膜晶体管的基板中,可通过半调掩模于第二道光刻蚀刻制造工艺定义出半导体层通道区,使后续透明电极层、源极与漏极的制作可采用湿式蚀刻进行,以有效减少半导体层通道区蚀刻不均的问题。
搜索关键词: 阵列 制作方法
【主权项】:
1.一种阵列基板的制作方法,包括以下步骤:(a)提供一基板;(b)形成一图案化的第一金属层于该基板表面;(c)依序形成一第一绝缘层与一半导体层,覆盖于该基板上,并覆盖第一金属层,并利用光刻蚀刻制造工艺对该半导体层图案化,以形成多个晶体管开关区;(d)依序形成一透明导电层、与一第二金属层,覆盖于基板上;(e)形成一光阻于该第二金属层表面,并且一次曝光显影,使该光阻具有至少两种以上的厚度;以及(f)蚀刻未被该光阻遮蔽的该第二金属层、未被该光阻遮蔽的该透明导电层、与该光阻,以于每一该晶体管开关区形成一源极与一漏极;其中该等晶体管开关区包括该第二金属层,该源极与该漏极彼此不电性连接。
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