[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法无效
| 申请号： | 200710006580.5 | 申请日： | 2007-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN101017769A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 堀口贵弘;大见忠弘;平山昌树 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/205;H01L21/3065;H01L21/67;C23C16/455;C23F4/00;H05H1/00;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 微波等离子体处理装置(100)包括：使通过槽的微波透过的多个介电体元件(31)；和位于各介电体元件(31)下方的气体喷嘴(27)。介电体元件(31)和气体喷嘴(27)由多孔体(多孔质体)和主体(致密质体)形成。第一气体供给部，将氩气从各介电体元件(31)的多孔体(31P)供给至处理室内。第二气体供给部，将硅烷气体和氢气从气体喷嘴(27)的多孔体(27P)供给至处理室内。气体通过各多孔体时减速，由此，能够抑止气体的过度搅拌。结果，能够生成均匀的等离子体，这样能够形成优质的非晶硅膜。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，其特征在于：包括：处理室，使用等离子体对被处理体进行处理；气体供给部，将规定的气体供给至所述处理室；和微波供给部，经由天线槽，并透过介电体部件，向所述处理室供给微波，利用所述透过的微波，使所述气体等离子体化，对所述被处理体进行处理，所述介电体部件至少一部分中含有多孔质体，所述气体通过所述多孔质体，导入所述处理室内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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