[发明专利]一种太阳能电池薄膜材料的数字喷印制备工艺有效
申请号: | 200710006652.6 | 申请日: | 2007-01-22 |
公开(公告)号: | CN101017862A | 公开(公告)日: | 2007-08-15 |
发明(设计)人: | 龙飞;邹正光 | 申请(专利权)人: | 桂林工学院 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 5410*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池薄膜材料的数字喷印制备工艺。具体步骤为:将Cu、In、Ga金属原料或金属盐与硒粉按比例加入乙二胺等有机溶剂中混合均匀后加入高温反应釜;上述原料在反应釜中于250℃温度下反应24小时获得CuIn(1-x)GaxSe2粉体;该粉体与溶剂混合,加入抗氧化剂和分散剂等制成喷印墨水,经数码喷印成膜;该薄膜吹干后置入气氛炉中,在氩气保护下,升温至350-450℃热处理,保温半小时后随炉自然冷却获得CuIn(1-x)GaxSe2薄膜。其中产物化学组成由有机溶剂合成工艺控制,成膜厚度和质量由喷印工艺控制,薄膜晶相由热处理工艺控制。本发明具有原料利用率高、成本低、工艺控制容易、大面积薄膜制备容易等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 薄膜 材料 数字 印制 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池薄膜材料的数字喷印制备工艺,其特征在于具体步骤为:将Cu、In、Ga金属原料或金属盐与硒粉按摩尔比1∶0.5~0.8∶0.2~0.5∶1.8~2.2加入乙二胺等有机溶剂中,加入高温反应釜;上述原料在反应釜中于250℃温度下反应24小时获得CuIn(1-x)GaxSe2粉体;该粉体与溶剂混合后加入抗氧化剂和分散剂等制成喷印墨水,经数码喷印成膜;该前驱体薄膜吹干后置入气氛炉中,在氩气保护下,升温至350-450℃热处理,保温半小时后随炉自然冷却。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的