[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

提供了一种执行激光辐照的方法作为使半导体膜结晶的方法。但若激光被辐照到半导体膜，则半导体膜同时被熔化并局部膨胀。衬底与半导体膜之间的温度梯度是陡峭的，在半导体膜中可能出现畸变。这样，在某些情况下，得到的结晶半导体膜的薄膜质量就会降低。利用本发明，借助于在用激光执行半导体膜的晶化之后，用热处理工艺对半导体膜进行加热，降低了半导体膜的畸变。比之激光辐照造成的局部加热，此热处理工艺在整个衬底和半导体膜上进行。因此，有可能降低形成在半导体膜中的畸变，从而提高半导体膜的物理性质。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：在绝缘表面上形成包含非晶硅的半导体膜；通过用激光辐射所述半导体膜而使所述半导体膜结晶；将该结晶的半导体膜图形化为至少一个小岛形状的半导体层；通过在等于或大于500℃的温度下执行热处理来减少小岛形状的半导体层中的畸变，其中所述畸变是由所述激光的辐射引起的；在热处理之后，在小岛形状的半导体层上形成栅绝缘膜；以及在栅绝缘膜上形成栅电极。