[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一种存储单元，具有：控制栅电极，通过栅绝缘膜布置在半导体衬底的主表面上；ONO膜，沿控制栅电极的侧表面和半导体衬底的主表面布置；存储栅电极，通过ONO膜布置在控制栅电极的侧表面上和半导体衬底的主表面上。使控制栅电极和存储栅电极在其上部上方分别形成有硅化物膜和通过使硅化物膜的表面氧化而形成的绝缘膜。

主权项

1.一种具有非易失性存储器件的半导体器件，包括：半导体衬底；第一绝缘膜，在所述半导体衬底的主表面上方形成；控制栅电极，通过所述第一绝缘膜在所述半导体衬底上方形成；第二绝缘膜，沿所述控制栅电极的侧表面和所述半导体衬底的所述主表面形成；和存储栅电极，通过所述第二绝缘膜分别在所述控制栅电极的所述侧表面和所述半导体衬底的所述主表面上方形成，其中在所述控制栅电极的上部上方，并且还在所述存储栅电极的上部上方，分别形成硅化物膜和通过使所述硅化物膜在其表面上氧化而形成的氧化物膜。