[发明专利]半导体存储器器件和相关的制造方法

摘要

本发明的实施例公开了一种半导体存储器器件和该半导体存储器器件的制造方法。所述半导体存储器器件包括：源区和漏区，设置在半导体基底中；掩埋接触，设置在晶体管的源区上并电连接到源区；直接接触，设置在晶体管的漏区上并电连接到漏区，其中，以不同的高度设置直接接触的上表面和掩埋接触的上表面。所述半导体存储器器件还包括：位线，设置在直接接触上并电连接到直接接触，从而电连接到漏区；电容器的下电极，设置在掩埋接触上并电连接到掩埋接触，从而电连接到源区。

主权项

1、一种半导体存储器器件，包括：源区和漏区，设置在半导体基底中；掩埋接触，设置在源区上并电连接到源区；直接接触，设置在漏区上并电连接到漏区，其中，以不同的高度设置直接接触的上表面和掩埋接触的上表面；位线，设置在直接接触上并电连接到直接接触；电容器的下电极，设置在掩埋接触上并电连接到掩埋接触。