[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200710007081.8 | 申请日： | 2007-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN101017807A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 及川弘太 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种可以高合格率地形成低电阻的触点的半导体装置和半导体装置的制造方法。在硅化镍层(7)具有足够膜厚的区域，形成触点孔(11)，并且进行金属硅化物层(7)的蚀刻，在金属硅化物层(7)形成凹陷部。然后，把触点孔(11)扩大到希望的触点直径。这样，不降低占有触点孔的底部的硅化物面积比，可以确保希望的触点孔(11)的底板面积，可以抑制因触点电阻增加造成的制造合格率降低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有：在半导体层表面部形成的杂质扩散区域、在所述杂质扩散区域的表面上形成的金属硅化物层、贯通在所述金属硅化物层上形成的层间绝缘膜而与所述金属硅化物层电连接的触点塞，其特征在于，包括：金属硅化物层，它在与触点塞的接触面上具有凹陷部；和触点塞，它在与所述金属硅化物层的接触面的一部分上，具有与所述凹陷部嵌合的突起部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710007081.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
