[发明专利]相变化存储器的垂直侧壁有效引脚结构及其制造方法有效
申请号: | 200710007245.7 | 申请日: | 2007-01-25 |
公开(公告)号: | CN101013738A | 公开(公告)日: | 2007-08-08 |
发明(设计)人: | 龙翔澜 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56;G11C13/00;G11C16/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 韩宏 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种可编程电阻存储器,例如相变化存储器,其包含具有细长侧壁的有效引脚的存储元件。侧壁有效引脚包含可编程电阻材料,例如相变化材料。在本发明的一个目的中,描述形成存储单元的方法,其包含形成堆叠,此堆叠包含第一电极、绝缘层以及第二电极。此第一电极具有主表面,而此主表面具有周缘;此绝缘层覆盖第一电极的主表面的一部份;此第二电极与第一电极垂直分离以及覆盖绝缘层。位于绝缘层及第二电极的侧壁,设置于第一电极的主表面,并与第一电极的主表面有横向偏移。 | ||
搜索关键词: | 相变 存储器 垂直 侧壁 有效 引脚 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种存储元件,包含:具有主表面的第一电极,该主表面具有周缘;第二电极,与该第一电极垂直分离,并且具有侧壁,该第二电极的该侧壁的至少一部份位于该主表面上,而与该第一电极的该周缘有横向偏移;绝缘元件,配置于该第一及第二电极之间,该绝缘元件覆盖该第一电极的该主表面的至少一部份,该绝缘元件具有侧壁,该绝缘元件的该侧壁位于该主表面上,而与该第一电极的该周缘具有横向偏移;以及存储元件,包含可编程电阻材料,该存储元件具有的侧壁部分,沿着该绝缘元件的该侧壁延伸,并接触该第二电极的该侧壁,该存储元件的该侧壁部份具有底表面,该底表面与该第一电极的该主表面接触。
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