[发明专利]半导体存储装置无效
申请号: | 200710007282.8 | 申请日: | 2007-01-25 |
公开(公告)号: | CN101009136A | 公开(公告)日: | 2007-08-01 |
发明(设计)人: | 藤幸雄 | 申请(专利权)人: | 尔必达存储器株式会社 |
主分类号: | G11C16/02 | 分类号: | G11C16/02;G11C11/56;G11C5/02;H01L27/24;G11C16/08 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 钟强;关兆辉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种半导体存储装置,减小了相邻存储单元之间的加热造成的影响。存储单元具有:对应通电而发热的加热元件(12)、因加热而相变的硫族化物层(10)、以及对其进行驱动的晶体管(16、18)。位线(BL)在预定方向上延伸配设,并与存储单元电连接。字线(WL/WU),在与位线垂直的方向上延伸配设,与存储单元电连接。具有第1单元列和第2单元列,第1单元列在位线(BL)的延伸方向上以固定间隔2d在位置A1、A2、A3……上配设存储单元,第2单元列在位线(BL)的延伸方向上与第1单元列错开了d的位置B1、B2、B3……上配设存储单元,且在字线(WL/WU)的延伸方向上,以固定间隔e交替配设第1及第2单元列,以使存储单元呈棋盘上的方格状。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,分别具有多个:存储单元,包括对应通电而发热的加热元件、和因受到加热而相变的可变电阻元件;位线,在预定方向上延伸配设,并与上述存储单元电连接;以及字线,在与上述位线垂直的方向上延伸配设,并与上述存储单元电连接,该半导体存储装置的特征在于,将上述存储单元配设成棋盘上的方格状。
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