[发明专利]低输入电压的高效能电压电位转换电路有效
| 申请号： | 200710007332.2 | 申请日： | 2007-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101026376A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 郭茂雄 | 申请（专利权）人： | 奇景光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省台南县新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种电压电位转换电路，是将两NMOS晶体管或两PMOS晶体管加入于VP侧的PMOS晶体管及VN侧的NMOS晶体管之间，并将这些所加入的晶体管的栅极连接至两输出端点。借助这种配置，此电压电位转换电路可在几乎没有直流电流的情况下将小的输入电压转换成大的输出电压，且不需使用额外的能带参考电压电路。 | ||
| 搜索关键词： | 输入 电压 高效能 电位 转换 电路 | ||
【主权项】：
1.一种电压电位转换电路，包含：一第一PMOS晶体管，具有一源极连接于一第一电源供应端点，一栅极连接于一第一输入端点，以及一漏极连接于一第一输出端点，其中该第一电源供应端点是供应一第一电压；一第二PMOS晶体管，具有一源极连接于该第一电源供应端点，一栅极连接于一第二输入端点，以及一漏极连接于一第二输出端点；一第一NMOS晶体管，具有一漏极以及一栅极连接于该第一输出端点；一第二NMOS晶体管，具有一漏极以及一栅极连接于该第二输出端点；一第三NMOS晶体管，具有一漏极连接于该第一NMOS晶体管的源极，一栅极连接于该第二输出端点，以及一源极连接于一第二电源供应端点，其中该第二电源供应端点是供应一第二电压，且该第二电压是小于该第一电压；以及一第四NMOS晶体管，具有一漏极连接于该第二NMOS晶体管的源极，一栅极连接于该第一输出端点，以及一源极连接于该第二电源供应端点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奇景光电股份有限公司，未经奇景光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710007332.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：包括电控阀的材料装卸车辆
- 下一篇：电子部件、介电体陶瓷组合物及其制造方法
