[发明专利]半导体元件与记忆体及其操作方法

摘要

本发明有关于一种半导体元件与记忆体及其操作方法。该记忆体，其适用于嵌入式记忆体中。此记忆体包括，基底、栅极、电荷陷入闸介电层、源极以及漏极。其中，栅极配置在基底上方。电荷陷入闸介电层配置于栅极与基底之间。源极与漏极分别配置于栅极两侧的基底中。本发明能够于同一系统上同时制作金氧半导体电晶体与记忆体，且在制程产生制作上较为简易，而可提高制程良率。本发明还公开了该记忆体的操作方法和包括该记忆体的半导体元件。

主权项

1. 一种半导体元件，其特征在于包括：一基底，该基底具有一逻辑电路区与一记忆体区；一金氧半导体电晶体，配置在该逻辑电路区中，该金氧半导体电晶体包括一基底、位于该基底中的一漏极与一源极、位于该漏极与该源极之间的该基底上方的一栅极，以及位于该栅极与该基底之间的一闸介电层；以及一记忆体，配置在该记忆体区中，其中该记忆体具有与该金氧半导体电晶体相同材料的堆叠结构，该记忆体包括一基底、位于该基底中的一漏极与一源极、位于该漏极与该源极之间的该基底上方的一栅极，以及位于该栅极与该基底之间的一电荷陷入闸介电层。