[发明专利]半导体器件利用碳纳米管的层间布线及其制造方法无效
| 申请号： | 200710007707.5 | 申请日： | 2007-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101101903A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 韩仁泽;金夏辰 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的利用碳纳米管的层间布线结构以及制造该层间布线结构的方法。该层间布线结构包括从催化剂层表面生长的多个碳纳米管和碳纳米管束，其中由于上部中碳纳米管的聚集，该碳纳米管束的上部比该碳纳米管束的下部具有更高的碳纳米管密度。该方法包括形成电连接到下电极的催化剂层；从该催化剂层的表面生长多个碳纳米管；通过聚集上部中的所述碳纳米管形成上部比下部具有更高碳纳米管密度的碳纳米管束；形成层间电介质，其覆盖该下电极，围绕该碳纳米管束，且暴露该碳纳米管束的仅上表面；以及形成上电极，其接触该碳纳米管束的所述上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 利用 纳米 布线 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的层间布线结构，包括：形成在下层上的下电极；电连接到该下电极的催化剂层；由从该催化剂层的表面向上生长的多个碳纳米管形成的碳纳米管束，其中由于该碳纳米管束上部中的碳纳米管的聚集，该碳纳米管束的上部比该碳纳米管束的下部具有更高的碳纳米管密度；层间电介质，覆盖该下电极，围绕该碳纳米管束，且暴露该碳纳米管束的上表面；以及上电极，设置在所述层间电介质上且电连接到该碳纳米管束的上表面。
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