[发明专利]减少位线之间电压耦合的半导体存储装置无效
申请号: | 200710007727.2 | 申请日: | 2007-01-29 |
公开(公告)号: | CN101009135A | 公开(公告)日: | 2007-08-01 |
发明(设计)人: | 韩公钦;朴哲成;金衡辰;俞炳旭 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C11/413 | 分类号: | G11C11/413 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 黄小临;王志森 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种增强的半导体存储装置,其能够消除或最小化由不同位线对中的位线之间的电容性电压耦合引起的单元数据翻转现象。每个存储器单元被连接到字线并且位于位线对之间。第一预充电和均衡电路被连接到第一位线对,而第二预充电和均衡电路被连接到相邻的第二位线对。第一和第二预充电和均衡电路在不同的时间被独立地激活,以便减少在不同位线对中的相邻位线之间的电压耦合,从而最小化或消除由位线之间的电压耦合引起的相邻存储器单元的单元数据翻转现象。 | ||
搜索关键词: | 减少 之间 电压 耦合 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,包括:存储器单元阵列,其具有连接的存储器单元的矩阵,每个存储器单元被连接到字线并且在位线对之间;和第一预充电和均衡电路,其被连接到第一位线对,该第一位线对被连接到与所述第一字线连接的第一存储器单元;和第二预充电和均衡电路,其被连接到第二位线对,该第二位线对被连接到与所述第一字线连接的第二存储器单元,其中所述第一存储器单元相邻于所述第二存储器单元。
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