[发明专利]半导体层结构以及用于制备半导体层结构的方法

摘要

半导体层结构，其包括由半导体材料制备的衬底(1)，衬底(1)上设置了由第二半导体材料制备的层(2)，还有富含杂质原子的区域(3)，该区域(3)被设置在层(2)中，或者在由层(2)与衬底(1)之间的界面以下的特定深度，另外在富含杂质原子的区域(3)内有层(4)，该层(4)包括通过离子注入产生的空腔，此外有涂敷到层(2)上的至少一个外延层(6)，以及在包括空腔的层(4)内包括位错和层错的缺陷区域(5)，该至少一个外延层(6)基本上没有裂缝，并且所述至少一个外延层(6)的残余应力小于或等于1GPa。用于制备半导体层结构的方法，其包括以下步骤：a)提供由半导体材料制备的衬底(1)；b)为了生产半导体层结构的目的，将由第二半导体材料制备的层(2)涂敷到所述的衬底(1)上；c)为了在所述半导体层结构中产生包括空腔的层(4)，将轻气体离子注入所述半导体层结构中；d)通过特定种类的杂质原子使所述的空腔稳定；e)将至少一个外延层(6)涂敷到所述半导体层结构上。

主权项

1.一种用于制备半导体层结构的方法，其包括以下步骤：a)提供由半导体材料制备的衬底(1)；b)为了生产半导体层结构的目的，将由第二半导体材料制备的层(2)涂敷到所述的衬底(1)上；c)为了在所述半导体层结构中产生包括空腔的层(4)，将轻气体离子注入所述半导体层结构中；d)通过特定种类的杂质原子使所述的空腔稳定；e)将至少一个外延层(6)涂敷到所述半导体层结构上。