[发明专利]像素结构的制作方法有效
申请号: | 200710007902.8 | 申请日: | 2007-01-30 |
公开(公告)号: | CN101009252A | 公开(公告)日: | 2007-08-01 |
发明(设计)人: | 石志鸿;杨智钧;黄明远 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/768 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种像素结构的制作方法,其包括下列步骤。首先,提供一形成有一有源元件的基板并形成一覆盖有源元件的介电层。在有源元件上方形成一具有一开口且不同厚度的第一光致抗蚀剂层。在进行一蚀刻工艺以经由开口在介电层中形成一接触窗后,减少第一光致抗蚀剂层的厚度,移除部分第一光致抗蚀剂层并暴露出部分介电层。接着,形成一覆盖部分介电层及剩余第一光致抗蚀剂层的透明导电层,且其经由接触窗连接有源元件。在移除剩余的第一光致抗蚀剂层上的透明导电层后,部分介电层上的透明导电层即构成一像素电极。最后,移除剩余的第一光致抗蚀剂层。由于该方法使用的掩模数少,可以降低制造成本。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构的制作方法,包括:提供一基板,且该基板上已形成有一有源元件;在该基板上形成一介电层,使其覆盖该有源元件;在该介电层上形成一第一光致抗蚀剂层,其中该第一光致抗蚀剂层具有不同的厚度变化,且该第一光致抗蚀剂层具有位于该有源元件上方的一开口;以该第一光致抗蚀剂层为掩模进行一蚀刻工艺,以经由该开口在该介电层中形成一接触窗;减少该第一光致抗蚀剂层的厚度,以移除一部分的该第一光致抗蚀剂层,而暴露出一部分的该介电层;形成一透明导电层,以覆盖该部分的介电层以及剩余的该第一光致抗蚀剂层,且该透明导电层经由该接触窗连接至该有源元件;移除剩余的该第一光致抗蚀剂层上的该透明导电层,使得位于该部分的介电层上的该透明导电层构成一像素电极;以及移除剩余的该第一光致抗蚀剂层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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