[发明专利]具有多个存储块的半导体存储装置有效
| 申请号： | 200710007915.5 | 申请日： | 2007-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN101013599A | 公开（公告）日： | 2007-08-08 |
| 发明（设计）人： | 岸浩二 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/26 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体存储装置具有：多个存储块(M_L，M_R)，分别包括存储数据的存储单元；读出锁存部(SUL)，对存储单元存储的数据进行检测；缓冲电路(BF)，将读出锁存部(SUL)所检测出的读出数据向外部输出，读出锁存部(SUL)以及缓冲电路(BF)在多个存储块(M_L，M_R)间被共有，并在被多个存储块(M_L，M_R)夹持的状态下进行配置。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 存储 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其中具有：多个存储块，分别包括存储数据的存储单元；读出放大器，对所述各个存储单元所存储的数据进行检测；缓冲电路，将所速读出放大器所检测出的读出数据输出到外部，所述读出放大器以及所速缓冲电路在所述多个存储块间被共用，并以夹持在所述多个存储块的状态进行配置。
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