[发明专利]快闪存储装置的制造方法

摘要

本发明公开了一种快闪存储装置的制造方法，包括在其中界定了单元区域、低电压区域和高电压区域的半导体衬底之上形成栅极。将第一离子注入到单元区域中以在单元区域中形成掺杂结，低电压区域和高电压区域被覆盖以防止第一离子被注入到低电压区域和高电压区域中。利用快速退火工艺来激活注入到单元区域中的第一离子。执行快速退火工艺不超过10分钟。快速退火工艺使单元区域处的瞬时增强扩散的出现最小化。

主权项

1.一种快闪存储装置的制造方法，所述方法包括：在其中界定了单元区域、低电压区域和高电压区域的半导体衬底之上形成栅极；使所述单元区域敞开同时覆盖所述低电压区域和所述高电压区域来执行离子注入工艺，从而在所述半导体衬底中形成单元结；在所述单元区域已被注入离子之后执行所述衬底的第一热处理工艺，所述第一热处理工艺执行不超过10分钟；在所述低电压区域上执行低浓度离子注入工艺，同时覆盖所述单元区域和所述高电压区域；将离子注入到所述高电压区域中，同时覆盖所述单元区域和所述低电压区域；在所述栅极的侧壁上形成间隙壁；在敞开的所述低电压区域上执行高浓度离子注入工艺；以及在所述高浓度离子注入工艺之后执行第二热处理工艺。