[发明专利]具有热隔离结构的Ⅰ型相变化存储单元有效
申请号: | 200710008034.5 | 申请日: | 2007-02-05 |
公开(公告)号: | CN101026223A | 公开(公告)日: | 2007-08-29 |
发明(设计)人: | 陈士弘 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 韩宏 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种存储器元件包含两个电极,其垂直分离且有着相对的接触表面,其间有着一相变化单元。此相变化单元包含上相变化构件,有着与该第一电极电接触的接触表面;下相变化构件,有着与该第二电极电接触的接触表面;与核心构件,位于该上相变化构件与该下相变化构件之间,且与其有电接触。该相变化单元由至少有两个固态相的材料所形成,且该上相变化构件与该下相变化构件的侧向延伸远大于该核心构件。中间热隔离层位于该上相变化构件与该下相变化构件间邻近该核心构件处。 | ||
搜索关键词: | 具有 隔离 结构 相变 存储 单元 | ||
【主权项】:
1.一种存储器元件,包含:第一电极和第二电极,其垂直分离且有着相对的接触表面;相变化单元,包含:上相变化构件,有着与该第一电极电接触的接触表面;下相变化构件,有着与该第一电极电接触的接触表面;核心构件,位于该上相变化构件与该下相变化构件之间,且与其电接触;其中该相变化单元由至少有两个固态相的材料所形成;该上相变化构件与该下相变化构件的侧向延伸远大于该核心构件;以及中间热隔离层,位于该上相变化构件与该下相变化构件之间邻近该核心构件处;该核心构件与该上相变化构件集成在一起。
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