[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置的制造装置无效
| 申请号： | 200710008043.4 | 申请日： | 2007-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101017788A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 高仓英也 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法及半导体装置的制造装置。在本发明的半导体装置的制造方法中，将液体状的树脂(17)填充到下模具(12)的模腔(14)及树脂贮存孔(15)中，用上述下模具(12)和上模具(11)夹持半导体元件(30)，将上述树脂贮存孔(15)的上述树脂(17)注入到上述模腔(14)中，利用上述树脂(17)封固上述半导体元件(30)。因此，可以高精度地制造几乎没有气孔、材料损耗少的半导体装置(35)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：第一工序，将液体状的树脂填充到在下模具上形成的模腔和在上述下模具上形成且直接连结在上述模腔的树脂贮存孔中；第二工序，用上述下模具和上模具夹持半导体元件；第三工序，将上述树脂贮存孔的上述树脂注入到上述模腔中，利用上述树脂封固上述半导体元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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